| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO252 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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InfineonTO-252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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INFINEONSOP |
2500 |
有上就有只有原装,可含税开原型号发票,实单带接受价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
18875 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFIENONTO-252 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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13816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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INFINEONTO252 |
2500 |
22+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO252-5 |
50000 |
22+ |
原装原装原装 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT252 |
32500 |
21+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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9548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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TITO252-3 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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INFINEON原厂封装 |
8900 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17445 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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INFINEONTO252 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
SPD18P06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPD18P06图片
SPD18P06PG价格
SPD18P06PG价格：￥3.1985品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的SPD18P06PG多少钱，想知道SPD18P06PG价格是多少？参考价：￥3.1985。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SPD18P06PG批发价格及采购报价，SPD18P06PG销售排行榜及行情走势，SPD18P06PG报价。
SPD18P06PGBTMA1中文资料Alldatasheet PDF
更多SPD18P06P功能描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD18P06P G功能描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPD18P06P_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOSò Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
SPD18P06PG制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 18.6A TO252
SPD18P06PGBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
SPD18P06PNT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
SPD18P06PT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
