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SPD18P06P

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD18P06P

SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD18P06PG

SIPMOS Power-Transistor

Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature °Pb-freeleadplating;RoHScompliant °QualifiedaccordingtoAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD18P06P_08

SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD18P06PG

SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPD18P06PG

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

18P06P

SIPMOS짰Power-Transistor

Features •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 °QualifiedaccordingtoAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPB18P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPB18P06PG

SIPMOSPower-Transistor

Features •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant °Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 °QualifiedaccordingtoAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPB18P06PG

SIPMOS짰Power-Transistor

Features •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant *Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 °QualifiedaccordingtoAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPB18P06PG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPP18P06P

SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPP18P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPP18P06PG

SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPP18P06PG

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPP18P06PG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPP18P06PH

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPP18P06PH

SIPMOS짰Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPU18P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

SPU18P06P

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SPD18P06P

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SIPMOS®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7098
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
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INFINEON/英飞凌
2021+
SOT-252
17445
原装进口假一罚十
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INENOI
20+
SOT252
2000
全新原装,价格优势
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INFINEON/英飞凌
22+
TO252-3
20000
只做原装进口 免费送样!!
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INFINEON/英飞凌
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TO-252
60000
原装正品进口现货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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2021+
TO252-3
6800
原厂原装,欢迎咨询
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INFINEON/英飞凌
21+23+
TO-252
13000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON
2017+
TO252
32568
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
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INFINEO
2016+
TO-252
6528
房间原装进口现货假一赔十
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更多SPD18P06P供应商 更新时间2024-5-5 9:38:00