选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
|
深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
|
BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYSOP8 |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
|
98900 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
||||
|
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
|
SISOP |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
SISOP8P |
3000 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
SILSOIC3.9m |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
SILICONIXSOP |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
SISOP-8 |
48 |
23+ |
||||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
3000 |
自己现货 |
|||||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
SISOP8P |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
VISHAYSOP-8. |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
SISMD-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
|
NXPSOP |
10000 |
2021++ |
进口原装正品 现货特价出 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
36100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市芯为科技有限公司5年
留言
|
SILSOIC3.9m |
16800 |
2023+ |
芯为科技只有原装 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
22048 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
SI4544采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4544图片
SI4544DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4544DY功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-E3功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-T1功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A 2.4W 35/45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube