| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
25283 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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silNA |
3786 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SILSOIC-8/3.9mm |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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VISHAY |
9750 |
37555+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
5250 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SI贴片 |
3000 |
自己现货 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
4326 |
新批次 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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VISHAYSOP8 |
512 |
05/06+ |
全新原装100真实现货供应 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAYSOP8 |
816 |
05+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
SI4544DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4544DY图片
SI4544DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4544DY功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-E3功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-T1功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4544DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A 2.4W 35/45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
