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RJK2009DPM-E	文件：89.39 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2009DPM-E	文件：92.44 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2009B	文件：3.95053 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
2009DHI	文件：260.26 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectortechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■INTEGRATEDFREE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
ABV2009	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009OC	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009OC-T	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009QC	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009QC-T	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABX2009	文件：115.5 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseXOwithmultipliers(for100-200MHzFundor3rdOTXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABX2009OC	文件：115.5 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseXOwithmultipliers(for100-200MHzFundor3rdOTXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
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ABX2009QC-T	文件：115.5 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseXOwithmultipliers(for100-200MHzFundor3rdOTXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AD2009	文件：1.65561 Mbytes Page：4 Pages	DIGITACLICEPOWEREDDPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AHTA-2009I	文件：256.399 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PrimaryTransformer	ALLIED Allied Components International	ALLIED
AMP2009	文件：575.93 Kbytes Page：2 Pages	MOTION-DETECTINGSENSOR	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AN2009	文件：925.09 Kbytes Page：39 Pages	PWMMANAGEMENTFOR3-PHASEBLDCMOTORDRIVESUSINGTHEST7MC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AP2009	文件：162.74 Kbytes Page：2 Pages	10TO2000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
AR2009	文件：167.77 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto4400V Meanforwardcurrent1560A Surgecurrent18.5kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO

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详细参数

型号：
RJK2009DPM-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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