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PTVA120252MT-V1-R1K分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTVA120252MT-V1-R1K
厂商型号

PTVA120252MT-V1-R1K

参数属性

PTVA120252MT-V1-R1K 封装/外壳为16-TDFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 48 V, 500 – 1400 MHz
RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON

文件大小

553.78 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-29 18:41:00

PTVA120252MT-V1-R1K规格书详情

Description

The PTVA120252MT LDMOS FET is a 25-watt LDMOS FET designed for use

in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency

band. Features include high gain and a thermally-enhanced, surface-mount

package. Manufactured with Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this

device provides excellent thermal performance and superior reliability.

Features

• Unmatched

• Target CW performance 960 MHz, 48 V,

combined outputs

- Output power at P1dB = 25 W

- Gain = 19.8 dB

- Efficiency = 64

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 20 W CW

output power

• Integrated ESD protection

• Human Body Model class 1C (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

• Low thermal resistance

• Pb-free and RoHS compliant

PTVA120252MT-V1-R1K属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的PTVA120252MT-V1-R1K晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    PTVA120252MT-V1-R1K

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    500MHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    20.2dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    30.2W

  • 封装/外壳:

    16-TDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    PG-SON-16

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Wolfspeed, Inc.
23+
16-TDFN 裸露焊盘
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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CREE
20+
SEMI
20000
只做原装.需要联系欧阳’sQQ2851989180/手机号13682
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Infineon Technologies
22+
SON16
9000
原厂渠道,现货配单
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