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PTVA120251EA-V2-R250分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PTVA120251EA-V2-R250 |
参数属性 | PTVA120251EA-V2-R250 包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 – 1400 MHz |
文件大小 |
787.93 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | WOLFSPEED, INC. |
企业简称 |
WOLFSPEED |
中文名称 | WOLFSPEED, INC.官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-1 10:30:00 |
PTVA120251EA-V2-R250规格书详情
Description
The PTVA120251EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency band. Features include
high gain and a thermally-enhanced package with bolt-down flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
Features
• Unmatched input and output
• High gain and efficiency
• Integrated ESD protection
• ESD HBM Class 2, per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
• Low thermal resistance
• Excellent ruggedness
• Pb-free and RoHS-compliant
• Capable of withstanding a 10:1 load mismatch
(all phase angles) at POUT = 25 W, under CW conditions
PTVA120251EA-V2-R250属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的PTVA120251EA-V2-R250晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PTVA120251EA-V2-R250
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
散装
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
Wolfspeed, Inc. |
23+ |
NA |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
100 |
询价 | |||||
INFINEON/英飞凌 |
NA |
11200 |
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询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
H-36265-2 |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
CREE |
20+ |
SEMI |
20000 |
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INFINEON TECHNOLOGIES |
22+ |
N/A |
7012 |
全新原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
NA |
57550 |
询价 |