NCP303LSN16T1 监控电路

原厂料号：NCP303LSN16T1品牌：ON

监控电路NCP303LSN16T1GNCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，监控电路NCP303LSN16T1G 其中包含一个可编程的延时发生器。这些设备是专门设计用于作为复位控制器在便携式微处理器为基础的系统，延长电池寿命是至关重要的。每个系列的特点是高精度欠压检测器与滞后和外部可编程的延时发生器。这种功能组合可以防止不稳定的系统复位操作。监控电路NCP303LSN16T1G 系列由互补的输出设备组成，可以使用有源高复位或有源低复位。NCP303系列具有一个开放的排水N -通道输出和一个积极的低复位输出。Features Quiescent Current 0.5 A Typical High Accuracy Undervoltage Threshold 2.0% Externally Programmable Time Delay Generator Wide Operating Voltage Range 0.8 V 10 V Complementary 或 Open Drain Output Active Low 或 Active High Reset Specified Over 的 40°C +125°C Temperature Range (Except 为 Voltage Options 从 0.9 到 1.1 V) NCV Prefix Automotive 和 Other Applications Requiring Unique Site 和 Control Change Requirements;AECQ100合格，PPAP能力强这些设备不含铅，符合RoHS标准的典型应用程序微处理器复位控制器低电池检测电源故障指示器电池备份检测

监控电路NCP303LSN16T1G 系列设备由一个驱动延时发生器的精密电压检测器组成。图37和38显示了一个时序图和一个典型的应用程序。首先考虑输入电压Vin处于标称电平，且大于电压检测器上阈值(VDET+)。引脚5和电容CD处的电压将与Vin处于同一电平，复位输出(引脚1)对于有源低器件将处于高电平，对于有源高器件将处于低电平。如果出现电源中断，且Vin明显不足，则会低于较低的检测器阈值(VDET)，外部延时电容CD将立即被连接到Pin 5的内部N通道MOSFET释放。此事件序列导致复位输出处于活动低设备的低状态，或活动高设备的高状态。断电完成后，

Vin将再次回到它的名义水平，并变得比VDET+更大。电压检测器将关闭N通道MOSFET，并允许上拉电阻RD对外部电容CD充电，从而为释放复位信号创建可编程延迟。当引脚5处的电压超过逆变器/缓冲器阈值(通常为0.675 Vin)时，复位输出将恢复到原来的状态。复位输出延时与电容的关系如图30 - 32所示。电压检测器和逆变器/缓冲器内置滞后，以防止不稳定的复位操作。虽然这些设备系列是专门为使用在便携式微处理器为基础的系统复位控制器，他们提供了一个成本效益的解决方案，在许多应用中，需要精确的电压监测和时间延迟。

• 芯片型号：

  NCP303LSN16T1

• 规格书：

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• 企业简称：

  ONSEMI【安森美半导体】详情

• 厂商全称：

  ON Semiconductor

• 中文名称：

  安森美半导体公司

• 内容页数：

  26 页

• 文件大小：

  194.82 kb

• 资料说明：

  Voltage Detector Series with Programmable Delay