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PH3135-20M分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PH3135-20M
厂商型号

PH3135-20M

参数属性

PH3135-20M 包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 65V

功能描述

Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10 Duty 3.1-3.5 GHz
RF TRANS NPN 65V

文件大小

157.59 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Tyco Electronics
企业简称

MACOM

中文名称

Tyco Electronics官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 18:55:00

PH3135-20M规格书详情

Features

• NPN Silicon Microwave Power Transistors

• Common Base Configuration

• Broadband Class C Operation

• High Efficiency Interdigitated Geometry

• Diffused Emitter Ballasting Resistors

• Gold Metallization System

• Internal Input and Output Impedance Matching

• Hermetic Metal/Ceramic Package

PH3135-20M属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。Tyco Electronics制造生产的PH3135-20M晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    PH3135-20M

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    65V

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    20W

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    2.4A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V

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