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PH3134-30S中文资料PDF规格书

PH3134-30S
厂商型号

PH3134-30S

参数属性

PH3134-30S 包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 65V

功能描述

Radar Pulsed Power Transistor 30W, 3.1-3.4 GHz, 1關s Pulse, 10 Duty

文件大小

100.04 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 M/A-COM Technology Solutions, Inc.
企业简称

MA-COM

中文名称

M/A-COM Technology Solutions, Inc.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 10:02:00

PH3134-30S规格书详情

Features

• NPN silicon microwave power transistors

• Common base configuration

• Broadband Class C operation

• High efficiency inter-digitized geometry

• Diffused emitter ballasting resistors

• Gold metallization system

• Internal input and output impedance matching

• Hermetic metal/ceramic package

• RoHS compliant

产品属性

  • 产品编号:

    PH3134-30S

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    65V

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    30W

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    3.6A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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