PBSS5160U中文资料PDF规格书
厂商型号 |
PBSS5160U |
参数属性 | PBSS5160U 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.7A SOT323 |
功能描述 | 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
文件大小 |
133.73 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-4 16:10:00 |
PBSS5160U规格书详情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4160U.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ High voltage DC-to-DC conversion
■ High voltage MOSFET gate driving
■ High voltage motor control
■ High voltage power switches (e.g. motors, fans)
■ Automotive applications
产品属性
- 产品编号:
PBSS5160U,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
340mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
185MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SOT-323
- 描述:
TRANS PNP 60V 0.7A SOT323
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
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NXP(恩智浦) |
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NXP(恩智浦) |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-323 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-323 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2019+ |
NA |
141000 |
询价 |