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PBSS5160U中文资料PDF规格书

PBSS5160U
厂商型号

PBSS5160U

参数属性

PBSS5160U 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.7A SOT323

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

133.73 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 16:10:00

PBSS5160U规格书详情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160U.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ High voltage DC-to-DC conversion

■ High voltage MOSFET gate driving

■ High voltage motor control

■ High voltage power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5160U,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    340mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    185MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.7A SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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