| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
|
ON/安森美DFN-8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
ONDFN-8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
|
ONDFN-8 |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美QFN8 |
1203 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
onsemi(安森美)DFN-8(5 |
11318 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
|
ON/安森美DFN |
5880 |
2021+ |
只做原装优势渠道可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
ONDFN-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
ON/安森美SO-8FL |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
|
90000 |
公司集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货- |
|||||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
|
ON/安森美DFN-8 |
880000 |
51 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
|
ONDFN-8 |
33719 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
|
ON/安森美DFN-8 |
7671 |
24+ |
原装正品.优势专营 |
|||
|
深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
|
ONDFN-8 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
|
深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
|
ONDFN-8 |
8600 |
2022+ |
英瑞芯只做原装正品 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
ON/安森美DFN56E-8-EP |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
|
深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
|
ON/安森美DFN-8 |
7550 |
22+ |
低价!原装!实单必成! |
|||
|
深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
|
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
||||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
ONDFN-8 |
100 |
RA51 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
ON/安森美DFN56E-8-EP |
50000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
NTMFD4901NF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTMFD4901NF图片
NTMFD4901NF中文资料Alldatasheet PDF
更多NTMFD4901NF制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky
NTMFD4901NFT1G功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFD4901NFT3G功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
