| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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ON/安森美DFN8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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ON/安森美DFN |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)DFN-8(5x6) |
11318 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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ON/安森美DFN8 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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ON/安森美DFN-8 |
3689 |
2311+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DFN8 |
12500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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ROHM/罗姆QFN |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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ONQFN |
6528 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆QFN |
22500 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONQFN |
114 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美DFN-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DFN5X6 |
39880 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美DFN56E-8-EP |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆QFN |
20000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆QFN |
15000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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CYPRESS/赛普拉斯SOP |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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ON/安森美DFN5X6 |
79999 |
2022+ |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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ROHM/罗姆QFN |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美DFN-8 |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
NTMFD4902NF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTMFD4902NF图片
NTMFD4902NFT1G价格
NTMFD4902NFT1G价格：￥2.2848品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTMFD4902NFT1G多少钱，想知道NTMFD4902NFT1G价格是多少？参考价：￥2.2848。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTMFD4902NFT1G批发价格及采购报价，NTMFD4902NFT1G销售排行榜及行情走势，NTMFD4902NFT1G报价。
NTMFD4902NFT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTMFD4902NFT1G功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFD4902NFT3G功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
