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NTF6P02T3G	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features •LowRDS(on) •LogicLevelGateDrive •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified •NVFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable* •TheseDevicesarePb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTF6P02T3G	文件：999.68 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 35 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTF6P02T3G	文件：112.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
F6P02T3	文件：142.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-6.0Amps,-20Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3	文件：71.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET-6.0Amps,-20VoltsP-ChannelSOT-223	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTF6P02T3	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-10Amps,-20VoltsP?묬hannelSOT??23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3-D	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-10Amps,-20VoltsP?묬hannelSOT??23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTF6P02T3G
功能描述：
MOSFET -20V -6A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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