选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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ON/安森美SOT23-8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SOT-23-8 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ON/ONSemiconductor/安森SOT-23-8 |
8700 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONSOT-23-8 |
35689 |
1923+ |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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ON1206-8vs- |
56787 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ON1206-8P |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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ON1206-8 |
35200 |
21+ |
一级代理分销/放心采购 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
2100 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ON/安森美VSOP1206-8 |
9852 |
1942+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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ONSOT23-8 |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT23-8 |
2566 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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ONSOT23-8 |
25689 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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ONSOT23-8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONSOT23-8 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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ON1206-8P |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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ONSNTHD5904NT1G |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ONSOT23-8 |
6528 |
1741+ |
只做进口原装正品假一赔十! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ON1206-8P |
689 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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NTHD5904NT图片
NTHD5904NT价格
NTHD5904NT价格:¥1.0400品牌:ON
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NTHD5904NT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTHD5904NT1功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT1G功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT3功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT3G功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube