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NTB5605T4G	文件：94.9 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBV5605T4G	文件：144.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET-60V,-18.5A MOSFET–Power,P-Channel,D2PAK-60V,-18.5A Features •DesignedforLowRDS(on) •WithstandsHighEnergyinAvalancheandCommutationModes •AECQ101Qualified−NTBV5605 •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •PowerSupplies •PWMMotorControl •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTB5605T4G

文件：94.9 Kbytes

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Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

NTBV5605T4G

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PowerMOSFET-60V,-18.5A

MOSFET–Power,P-Channel,D2PAK-60V,-18.5A Features •DesignedforLowRDS(on) •WithstandsHighEnergyinAvalancheandCommutationModes •AECQ101Qualified−NTBV5605 •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •PowerSupplies •PWMMotorControl •Converters

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详细参数

型号：
NTB5605T4G
功能描述：
MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTB5605T4G供应商更新时间2024-5-13 15:33:00

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