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NTB5605T4G中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
NTB5605T4G
- 功能描述:
MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
1822+ |
TO263 |
9852 |
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ON/安森美 |
22+ |
D2PAK |
101185 |
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ON |
TO-263 |
90000 |
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ON/安森美 |
TO-263 |
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ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-263-3 |
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ON/安森美 |
23+ |
D2PAK |
6000 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
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ON |
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TO263 |
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ON |
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D2PAK |
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