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NSVF5488SKT3G	文件：179.44 Kbytes Page：7 Pages	RF Transistor for Low Noise Amplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVF5488SKT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-623F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：BIP NPN 70MA 10V FT=7G	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVF5488SKT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 20mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-623F
供应商器件封装：
SOT-623/SSFP
描述：
BIP NPN 70MA 10V FT=7G

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