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NSVMMUN2135LT1G	文件：111.42 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMUN2135LT1G	文件：183.34 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMUN2135LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2135LT1	文件：81.5 Kbytes Page：4 Pages	BiasResistorTransistors,PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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产品属性

产品编号：
NSVMMUN2135LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

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