| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO263 |
68900 |
NEC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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NECTO263 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECTO263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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RenesasTO-263 |
37650 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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RenesasElectronicsAmericTO-263-3 |
65500 |
2019+ |
D2Pak(2Leads+Tab) |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECTO263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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NECTO263 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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NP82N04PDG-E1-AY图片
NP82N04PDG-E1-AY中文资料Alldatasheet PDF
更多NP82N04PDG-E1-AY功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
