选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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RENESAS-瑞萨TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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RENESAS/瑞萨TO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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RENESAS/瑞萨TO-263 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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RenesasTO-263 |
37650 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨TO-263 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨22+ |
6000 |
TO-263 |
十年配单,只做原装 |
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NP82N04PUG-E1-AZ图片
NP82N04PUG-E1-AZ中文资料Alldatasheet PDF
更多NP82N04PUG-E1-AZ功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件