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NP16N04YUG-E1-AY

文件：226.11 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP16N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) •LowCiss:Ciss=740pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapplicati

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP16N04YUG-E1-AY
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP16N04YUG-E1-AY供应商更新时间2024-6-7 10:20:00

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