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NGTB30N135IHRWG

IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGTB30N135IHRWG

包装:散装 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

DTGT30N135

Highspeedswitching

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationssuchasIH(inductionheating),microwaveoven&etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavio

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

KGF30N135NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KGT30N135KDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KGT30N135NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB30N135IHRWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.65V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    850µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/250ns

  • 测试条件:

    600V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi/安森美
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更多NGTB30N135IHRWG供应商 更新时间2024-5-20 16:45:00