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NGTB40N120FLWG	文件：190.3 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N120FLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 40A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
40N120	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
40N120IHL	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTGN40N120	文件：1.50198 Mbytes Page：8 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystem	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGH40N120AN	文件：518.919 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N120AN	文件：509.24 Kbytes Page：7 Pages	1200VNPTIGBT Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N120ANTU	文件：518.919 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AN	文件：543.48 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AN	文件：533.81 Kbytes Page：7 Pages	1200VNPTIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AN	文件：336.14 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.6V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGL40N120AND	文件：349.1 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.6V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGL40N120AND	文件：786.54 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AND	文件：492.58 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTIGBT Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120ANDTU	文件：597.13 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTIGBT Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120ANTU	文件：543.48 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW40N120H	文件：588.25 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/40A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW40N120HD	文件：680.02 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/40A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW40N120VD	文件：696.39 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/40A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
GW40N120KD	文件：763.2 Kbytes Page：15 Pages	40A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
NGTB40N120FLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，40A
开关能量：
2.6mJ（开），1.6mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
130ns/385ns
测试条件：
600V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 40A TO247

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