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NESG2021M05-T1	文件：159.35 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG2021M05-T1

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NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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深圳市振宏微科技有限公司	NESG2021M05-T1,2SC3014,UPG2013TQ-E1-A	SOT-343	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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更多NESG2021M05-T1,2SC3014,UPG2013TQ-E1-A供应商更新时间2024-5-15 17:00:00

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