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NESG2021M05-T1-A	文件：159.35 Kbytes Page：14 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG2021M05-T1	文件：159.35 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NESG2021M05-T1-A

文件：159.35 Kbytes

Page：14 Pages

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

FEATURES •Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ⎯NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ⎯NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

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NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Laboratories

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NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

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详细参数

型号：
NESG2021M05-T1-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

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更多NESG2021M05-T1-A供应商更新时间2024-4-28 15:03:00

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