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NE851M13中文资料PDF规格书

NE851M13
厂商型号

NE851M13

参数属性

NE851M13 封装/外壳为SOT-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

功能描述

NE851M13

文件大小

17.26 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 17:35:00

NE851M13规格书详情

NONLINEAR MODEL

产品属性

  • 产品编号:

    NE851M13-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5.5V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

  • 功率 - 最大值:

    140mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-3

  • 供应商器件封装:

    M13

  • 描述:

    TRANS NPN LOW PRO M13 SMD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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