NE851M03分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE851M03 |
| 参数属性 | NE851M03 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ SOT363 |
| 功能描述 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件大小 |
470.08 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-31 18:35:00 |
NE851M03规格书详情
NE851M03属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE851M03晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NE851M03-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5.5V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SOT-363
- 描述：
RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
SOT423 |
15200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
SOT423 |
15200 |
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询价 | ||
RENESAS |
1742+ |
SOT423 |
98215 |
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ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
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询价 | ||
RENESAS |
SOT423 |
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询价 | |||
RENESAS |
2320+ |
SOT423 |
562000 |
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询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
SOT423 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
SOT423 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
CEL |
17+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
SOT423 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 |
