NE851M13分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE851M13 |
| 参数属性 | NE851M13 封装/外壳为SOT-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：TRANS NPN LOW PRO M13 SMD |
| 功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件大小 |
277.1 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-31 17:35:00 |
NE851M13规格书详情
NE851M13属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE851M13晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
NE851M13-T3-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5.5V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 增益：
4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
- 功率 - 最大值：
140mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-3
- 供应商器件封装：
M13
- 描述：
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1742+ |
SOT423 |
98215 |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
询价 | ||
ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
ST |
22+ |
DIP8 |
3629 |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-523 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT343 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
CEL |
17+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
NEC |
SOT343 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SOP-8 |
18000 |
询价 | |||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
SOT-523 |
57500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
