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NE3512S02-A

包装:卷带(TR) 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:HJ-FET NCH 13.5DB S02

CEL

California Eastern Laboratories

NE3512S02

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

CEL

California Eastern Laboratories

NE3512S02

CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NE3512S02-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.35dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
07+/08+
S02
311
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CEL
17+
原厂原装
4000
原装正品
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更多NE3512S02-A供应商 更新时间2024-5-11 15:30:00