NE3512S02分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3512S02 |
| 参数属性 | NE3512S02 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 文件大小 |
270.66 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-26 9:12:00 |
NE3512S02规格书详情
NE3512S02属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3512S02晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
NE3512S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 13.5DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
21+ |
S02 |
20000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-50 |
9000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
TO-50 |
80000 |
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Renesas(瑞萨) |
23+ |
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RENESAS |
22+ |
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NEC |
13+ |
SMT |
171000 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-50 |
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原装正品现货 |
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NEC |
2018+ |
5000 |
询价 |
