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NE350184C-T1A_NEC/瑞萨_射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET上海鑫勃源
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
NE350184C-T1A
- 功能描述:
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技术类型:
pHEMT
- 频率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪声系数:
正向跨导
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压:
- 8 V
- 漏极连续电流:
3 A
- 最大工作温度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供应商
- 企业:
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司
- 商铺:
- 联系人:
孙小姐/张先生/李先生进口原装现货可开13%增值税票
- 手机:
18930689907
- 询价:
- 电话:
18930689907
- 传真:
0532-87557828
- 地址:
上海市闵行区万源路2800号
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