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NE334S01-T1 | C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION TheNE334S01isaHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforTVROandothercommercialsystems. FEATURES •VERYLOWNOISE | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | |
NE334S01-T1 | C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | |
NE334S01-T1 | C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET | CEL California Eastern Laboratories | CEL | |
C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION TheNE334S01isaHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforTVROandothercommercialsystems. FEATURES •VERYLOWNOISE | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | ||
C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | ||
C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET | CEL California Eastern Laboratories | CEL |
详细参数
- 型号：
NE334S01-T1
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2019+全新原装正品 |
SMT86 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
NEC |
2020+ |
SMT86 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
NEC |
2017+ |
SMT86 |
32547 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
NEC |
2016+ |
SMT86 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
NEC |
2021+ |
N/A |
6800 |
只有原装正品 |
询价 | ||
NEC |
22+23+ |
SMT86 |
6738 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SMT86 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
38160 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SMT86 |
154828 |
原装正品现货,可开13个点税 |
询价 |
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