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NE334S01-T1中文资料PDF规格书
NE334S01-T1规格书详情
DESCRIPTION
The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.
FEATURES
• VERY LOW NOISE FIGURE:
0.25 dB TYP at 4 GHz
• HIGH ASSOCIATED GAIN:
16.0 dB TYP at 4 GHz
• GATE WIDTH: 280 µm
• TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE
• LOW COST PLASTIC PACKAGE
产品属性
- 型号：
NE334S01-T1
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2023+ |
CAN |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
NEC |
2017+ |
SMT86 |
32547 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
NEC |
22+23+ |
SMT86 |
6738 |
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询价 | ||
NEC |
2021+ |
N/A |
6800 |
只有原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
SO86 |
265209 |
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询价 | |||
NEC |
22+21+ |
SMT86 |
3848 |
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询价 | ||
23+ |
N/A |
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正品授权货源可靠 |
询价 | |||
NEC |
21+ |
SMT86 |
6000 |
全新原装 现货 价优 |
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NEC |
2022+ |
SMT86 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
询价 |
