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NAND08GW3B2AN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

NAND08GW3B2AN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

NAND08GW3B2AN6F

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

NAND08GW3B2AN6F

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

详细参数

  • 型号:

    NAND08GW3B2AN6

  • 功能描述:

    闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

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更多NAND08GW3B2AN6供应商 更新时间2024-4-27 10:20:00