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NAND08GW3C2BN6E

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NAND08GW3C2BN6E

包装:托盘 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

NAND08GW3C2BN6F

8or16Gbit,2112bytepage,3Vsupply,multilevel,multiplane,NANDFlashmemory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

产品属性

  • 产品编号:

    NAND08GW3C2BN6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    8Gb(1G x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

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更多NAND08GW3C2BN6E供应商 更新时间2024-5-16 17:32:00