NAND08GW3B2AN6_STMICROELECTRONICS/意法半导体_闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v华来深一部

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原厂料号:NAND08GW3B2AN6品牌:STM

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  • 芯片型号:

    NAND08GW3B2AN6E

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体(ST)集团

  • 内容页数:

    58 页

  • 文件大小:

    501.64 kb

  • 资料说明:

    4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号:

    NAND08GW3B2AN6

  • 功能描述:

    闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商

  • 企业:

    深圳市华来深电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    朱先生 /林小姐

  • 手机:

    13751106682

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  • 电话:

    0755-83238902

  • 传真:

    0755-83972189

  • 地址:

    深圳市福田区上步工业区205栋5A36室/门市部:深圳市福田区华强北路国利大厦新亚洲二期N2B227