共有1条记录
NESG7030M04-A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NESG7030M04-A图片
NESG7030M04-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NESG7030M04-A功能描述:射频硅锗晶体管 NF .75dB Gain 14dB RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
NESG7030M04-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
4.3V
- 频率 - 跃迁:
5.8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
- 增益:
14dB ~ 21dB
- 功率 - 最大值:
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 5mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 供应商器件封装:
M04
- 描述:
RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04