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NESG7030M04-A	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG7030M04	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconGermaniumCarbonRFTransistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NESG7030M04-A

文件：154.71 Kbytes

Page：11 Pages

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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NESG7030M04-A

文件：100 bytes

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包装：托盘封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

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NPNSiliconGermaniumCarbonRFTransistor

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产品属性

产品编号：
NESG7030M04-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.3V
频率 - 跃迁：
5.8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益：
14dB ~ 21dB
功率 - 最大值：
125mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
M04
描述：
RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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