| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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NECELECTRON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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NEC-日本电气TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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NECTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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NEC |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
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NEC渡金高频 |
50000 |
16+ |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
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NEC |
32256 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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NE850R599A图片
NE850R599A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE850R599A功能描述:射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
