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MUN2114T1G	文件：236.97 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1G	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1G	文件：147.21 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1G	文件：184.02 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1G	文件：148.04 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1	文件：236.97 Kbytes Page：12 Pages	BiasResistorTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2114T1	文件：236.97 Kbytes Page：10 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR BiasResistorTransistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwith MonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MUN2114T1	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	BiasResistorTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMUN2114T1	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	BiasResistorTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMUN2114T1G	文件：148.04 Kbytes Page：12 Pages	PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMUN2114T1G	文件：147.21 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=10k,R2=47k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMUN2114T1G	文件：184.02 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MUN2114T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MUN2114T1G	onsemi(安森美)	23+	SC-59	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MUN2114T1G供应商更新时间2024-6-11 16:53:00

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