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MUN5212DW1T1G	文件：139.52 Kbytes Page：21 Pages	Dual Bias Resistor Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MUN5212DW1T1G	文件：155.89 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN5212DW1T1	文件：169.06 Kbytes Page：10 Pages	DualBiasResistorTransistorsNPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MUN5212DW1T1	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	DualBiasResistorTransistors	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
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MUN5212DW1T1	文件：179.93 Kbytes Page：10 Pages	DualBiasResistorTrasnsistors DualBiasResistorTrasnsistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorswith MonolithicBiasResistorNetwork TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase–emitterresistor.Thesedigit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MUN5212DW1T1	文件：179.93 Kbytes Page：10 Pages	DualBiasResistorTransistors DualBiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase−emitterresistor.Thesedigital	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MUN5212DW1T1	文件：151.62 Kbytes Page：20 Pages	DualBiasResistorTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5212DW1T1	文件：803.41 Kbytes Page：12 Pages	DualBiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistors withMonolithicBiasResistorNetwork TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase–emitterresistor.Thesedigitaltransistorsaredesignedtore	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
NSVMUN5212DW1T1G	文件：155.89 Kbytes Page：8 Pages	DualNPNBiasResistorTransistorsR1=22k,R2=22k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MUN5212DW1T1G
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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