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MRF6VP121KHSR6分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF6VP121KHSR6 |
| 参数属性 | MRF6VP121KHSR6 封装/外壳为NI-1230S；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
1.24444 Mbytes |
| 页面数量 |
20 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-6 17:57:00 |
MRF6VP121KHSR6规格书详情
MRF6VP121KHSR6属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MRF6VP121KHSR6晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
MRF6VP121KHSR6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
1.03GHz
- 增益：
20dB
- 功率 - 输出：
1000W
- 封装/外壳：
NI-1230S
- 供应商器件封装：
NI-1230S
- 描述：
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCA |
2020+ |
NI-1230 |
29 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
Freescale |
16+ |
NI-1230 |
50 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
FREESCALE |
2017+ |
NI-1230 |
28698 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
243 |
价格优势 |
询价 | ||
FREESCALE |
module |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
NA |
5951 |
询价 | |||
FREESCALE |
2018+ |
SMD |
1680 |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FREESCALE |
2102+ |
6854 |
只做原厂原装正品假一赔十! |
询价 | |||
原厂 |
23+ |
高频管 |
500 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
