选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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FREESCALESMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
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Freescale原厂原包 |
6850 |
19+ |
十年专业专注,优势渠道商正品保证假一罚十 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
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FREESCALE/NXPTO-59 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
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FREESCALE |
9000 |
1408+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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FREESCALE |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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NXP原装NI-1230 |
899933 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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FREESCALETO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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NXPNI-1230 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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Fairchild |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FREESCA原厂标准封装 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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FREESCATO-62 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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N/ASMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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FreescaleTO-59 |
104 |
16+ |
全新原装 实单必成 |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司2年
留言
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TITO-PMOD-7 |
16407 |
2022+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXPNI1230 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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MRF6VP11KHR图片
MRF6VP11KHR5价格
MRF6VP11KHR5价格:¥1567.3991品牌:Freescale
生产厂家品牌为Freescale的MRF6VP11KHR5多少钱,想知道MRF6VP11KHR5价格是多少?参考价:¥1567.3991。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MRF6VP11KHR5批发价格及采购报价,MRF6VP11KHR5销售排行榜及行情走势,MRF6VP11KHR5报价。
MRF6VP11KHR5中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF6VP11KHR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP11KHR5-CUT TAPE制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP11KH Series 10 - 150 MHz 1000 W N-Channel RF Power Mosfet
MRF6VP11KHR6功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP11KHR6_09制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET