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MRF6V14300HSR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF6V14300HSR3 |
| 参数属性 | MRF6V14300HSR3 封装/外壳为NI-780S；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 100V 1.4GHZ NI780S |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 文件大小 |
678.89 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-21 11:59:00 |
MRF6V14300HSR3规格书详情
MRF6V14300HSR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MRF6V14300HSR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
MRF6V14300HSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.4GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 输出：
330W
- 封装/外壳：
NI-780S
- 供应商器件封装：
NI-780S
- 描述：
FET RF 100V 1.4GHZ NI780S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP Semiconductors |
22+ |
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