选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司2年
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TIVSSOP8 |
11649 |
2022+ |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
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NXPTO-59 |
102 |
15+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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NXPNI780S |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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FreescaleSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
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NXPTO-59 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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TIVSSOP8 |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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NXPTO-59 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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NXPNI780S |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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FreescaleNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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NXPTO-59 |
2502 |
23+ |
原厂原装正品 |
MRF6V12500HSR3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MRF6V12500HSR3图片
MRF6V12500HSR3中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF6V12500HSR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号:
MRF6V12500HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
1.03GHz
- 增益:
19.7dB
- 功率 - 输出:
500W
- 封装/外壳:
NI-780S
- 供应商器件封装:
NI-780S
- 描述:
FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS