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MMUN2113LT3	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2113LT3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMUN2113LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2113LT3	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2113LT3G	文件：655.27 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2113LT3G	文件：169.73 Kbytes Page：9 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2113LT3G	文件：644.3 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NSVMMUN2113LT3G	文件：113.75 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47kA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMUN2113LT3G	文件：202.32 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMUN2113LT3
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

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