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MMBT6428LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LMBT6428LT1G	文件：282.02 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT6428LT1G	文件：283.04 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSiliconRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT6428LT1	文件：300.4 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT6428LT1	文件：151.3 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT6428LT1	文件：209.58 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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产品属性

产品编号：
MMBT6428LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
700MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3

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深圳市瑞卓芯科技有限公司	MMBT6428LT1G	ON/安森美	22+	SOT-23	66000	原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT6428LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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