选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23 |
154483 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PANJIT/强茂SOT23 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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PANJIT/强茂SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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OnsemiSOT-23 |
15000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT23 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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ONSOT23 |
30000 |
18+ |
ON专营→可提供17发票 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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ONSOT-23 |
20000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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ONSOT-23 |
10000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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ON安森美TO-236 |
21000 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23(TO-236) |
3022 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NS/国半NA |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
12000 |
22+ |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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Onsemi / FairchildSMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
MMBT918采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MMBT918图片
MMBT918价格
MMBT918价格:¥0.1623品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的MMBT918多少钱,想知道MMBT918价格是多少?参考价:¥0.1623。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MMBT918批发价格及采购报价,MMBT918销售排行榜及行情走势,MMBT918报价。
MMBT918中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBT918功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MMBT918_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MMBT918
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
600MHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
6dB @ 60MHz
- 增益:
15dB
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
- 性质:
射频/高频放大 (HF)_宽频带放大 (A)
- 封装形式:
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
0.05A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
- 可代换的型号:
3DG122D,
- 最大耗散功率:
0.35W
- 放大倍数:
- 图片代号:
NO
- vtest:
30
- htest:
999900
- atest:
.05
- wtest:
.35