MJD122-1中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
MJD122-1 |
| 参数属性 | MJD122-1 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 |
| 功能描述 | SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT |
| 文件大小 |
284.04 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Motorola, Inc |
| 企业简称 |
Motorola |
| 中文名称 | 摩托罗拉官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-11 10:57:00 |
MJD122-1规格书详情
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
• Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
• Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series, TIP120–TIP122 Series, and TIP125–TIP127 Series
• Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors
• High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Complementary Pairs Simplifies Designs
产品属性
- 产品编号：
MJD122-1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商器件封装：
TO-251（IPAK）
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
12800 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-2 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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2023+ |
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ST/意法半导体 |
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